粉状工业炸药配方设计的数学模型

论述了含C、H、O、N、Al元素的工业炸药配方设计数学模型的建构方法 ,研究了无梯硝铵炸药、铵梯油炸药和含铝铵梯油炸药配方设计及最优化的数学模型 ,给出了上述几种粉状工业炸药配方设计及最优化数学模型的计算结果。对用理论配方所制工业炸药的爆炸性能也进行了研究 ,以证实数学模型的可靠性。     

图的光滑支架分解

设G是一个图,A为其边集的子集。G的一个支架分解是（G－A,A）,其中G－A是去掉A后的连通图,G的一个光滑支架分解是适合下列条件的支架分解：（1）G－A的每一叶具有连通余树;（2）G－B（G－A）割边集为A,其中B（G－A）为G－A的割边集。本文给出了求一个图的光辉支架分解的一个有效算法。     

GaN基紫外探测器的研究与制备

报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p-GaN/InGaN/n-GaN结构紫外探测器.我们对器件进行了测试分析.根据器件光伏信号强度和相位的测量结果,我们得到了该器件的能带结构图.我们还发现Ni/Au电极与p-GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性.该探测器在入射光波长为375nm处的响应度大约为7.4×10-3A/W.     

Ni^2＋：LiNbO3的光学吸收谱和EPR的研究

应用三角晶场中d^2(d^8)电子组态的包括静电相互作用和自旋－轨道耦合相综合利用物强场能量矩阵,采用完全对角化方法,精确地计算了具有C3V对称的Ni^2 :LiNbO3的光学吸收谱和EPR谱。理论结果与实验值符合得很好。     

时间域方法分析镍卟啉的共振拉曼强度与S2激发态结构

研究了入射光波长与S0→S2跃迁共振的情形下,卟啉镍合物（NiP)的振动拉曼光谱。用时间域方法计算了NiP的共振拉曼强度和吸收光谱。结果表明,相对于基态,S2态NiP的分子构型沿着v8和v2简正坐标有较大的位移。这些简正坐标主要涉及卟啉环的CαCm键和CβCβ键伸缩运动,以及CαCmCα变角运动。与基态相比,S2态的CβCβ、CαCm和CαN键分别增大0．27、0．14、0．07pm,而CαCβ键则减小0．20pm,与前人的赝势分子轨道计算（SPMO）结果相近。还从RR强度角度讨论了S2态的Jahn-Teller畸变。     

四苯基卟啉及其金属配合物在溴化银胶体上的表面增强喇曼光谱研究

研究了四苯基卟啉（H2TPP）及其金属配合物（AgTPP和MgTPP）在AgBr胶体上的表面增强喇曼光谱（SERS）。SERS光谱表明,吸附在ArBr胶体粒子表面的MgTPP和H2TPP分子分别发生银离子交换和银配位反应生成AgTPP,这种表面反应可能与激光照射有关。AgTPP分子在胶体粒表面的吸附导致卟啉大环的非平面化,使v8振动（M－N键伸缩振动）向高波数方向移动近10cm^-1。632.8nm激发下的表面喇曼谱以化学增强为主,而488.0nm激发下表面喇曼谱除化学增强效应外,还存在共振增强效应。     

第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会紧急通知

考虑诸多因素 ,第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会商定 ,两会合并、联合召开 ,统一组织、统一领导。会期 :2 0 0 0年 1 0月　　地址 :重庆市西南师范大学收稿截止日期 :2 0 0 0年 3月 3 1日 (以邮戳为准 )论文处理 :会议筹备组将组织专家对应征论文进行评审 ,决定取舍。录用的论文将安排在会上口头报告或报展 ,并在会前出论文集。请自留底稿 ,恕不退还。收稿地址 :两个收稿地址等效。1　重庆市西南师范大学化学化工学院周光明、黄玉明同志收 ,邮编 :4 0 0 71 52　北京海淀区学院南路 76号光谱与分析期刊社孟广政同…     

不同形貌二水草酸钙对阴离子表面活性剂AOT的吸附差异

人体尿液中存在大量具有生物表面活性的物质,而这些物质与尿液中不同形貌的草酸钙微晶间的吸附关系并未得到人们广泛关注。挑选了常用的阴离子表面活性剂磺基琥珀酸钠二辛酯(AOT)作为吸附物质,研究了不同形貌的二水草酸钙(COD)晶体对AOT的吸附差异,探究草酸钙结石的形成机理。采用X射线粉末衍射仪(XRD)和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)表征,并通过谱图差异分析了吸附AOT前后棒状、圆钝形、花状、十字形和双锥形COD晶体的组分变化;采用Zeta电位分析仪测定吸附AOT后晶体表面的Zeta电位随AOT浓度的变化;采用比色法通过紫外可见分光光度计测定不同浓度AOT存在下晶体的吸附量变化并绘制吸附曲线。随着AOT浓度的增加,COD的吸附量逐渐上升,最后达到吸附饱和状态,各吸附曲线均呈S型。不同形貌COD对AOT的最大吸附量大小顺序为：棒状COD (41.0 mg·g-1)>圆钝形COD (37.5 mg·g-1)>花状COD (35.0 mg·g-1)>十字形COD (27.2 mg·g-1)>双锥形COD (20.9 mg·g-1)。COD晶体的比表面积越大,表面提供的活性位点也越多,越有利于表面活性剂AOT在晶体表面的吸附;富含Ca2+的(100)晶面更利于阴离子的AOT的优先吸附;此外COD晶体的内能越大,越会抑制AOT在COD表面的吸附,导致吸附量降低。吸附了AOT的COD晶体稳定性显著增加,COD向COM转变的速度明显降低。基于AOT在不同形貌的COD晶体表面的吸附特点,提出了COD晶体吸附AOT的分子模型。COD晶体对AOT的吸附与晶体形貌密切相关。容易吸附AOT的COD晶体形貌更容易粘附在带负电荷受损伤的细胞表面,加大草酸钙结石形成的风险。     

氦、氘对纯铁辐照缺陷的影响

在核聚变堆的辐照环境中, 核嬗变产物氢、氦对结构材料的抗辐照性能将产生很大的影响. 本实验采用离子注入和电子辐照模拟研究了氦和氘对具有体心立方结构的纯铁的影响. 采用离子加速器在室温分别对纯铁注入氦离子和氘离子, 经500℃时效1 h后在高压电镜下进行电子辐照.结果表明: 室温注氦和室温注氘的纯铁在500℃时效后分别形成间隙型位错环和空位型位错环. 在电子辐照下, 间隙型位错环吸收间隙原子而不断长大, 而空位型位错环吸收间隙原子不断缩小. 通过计算位错环的变化速率发现, 空位型位错环比间隙型位错环吸收了更多的间隙原子, 即室温注氘纯铁的位错偏压比室温注氦纯铁的偏压参量大, 这意味着相同实验条件下空位型位错环对辐照肿胀的贡献大于间隙型位错环对辐照肿胀的贡献. 利用氦-空位复合体和氘-空位复合体的结构, 分析了注氦和注氘后在纯铁中形成不同类型位错环的原因. 关键词： 氦 氘 辐照损伤 位错环     

GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性

本文用分数维方法研究Al_xGa_1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性, 提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法, 解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难, 得到了Al_xGa_1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能. 关键词： 分数维方法 极化子 GaAs薄膜